Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SQ4850EY-T1_GE3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SQ4850EY-T1_GE3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Varasto:
23181 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12786146
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
U
O
g
J
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SQ4850EY-T1_GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
TrenchFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
22mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1250 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
6.8W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
SQ4850
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
SQ4850EY-T1_GE3
HTML-tietolomake
SQ4850EY-T1_GE3-DG
Tekniset tiedot
SQ4850EY
SQ4850EY
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
SQ4850EY-T1_GE3TR
SQ4850EY-T1_GE3DKR
SQ4850EY-T1-GE3-DG
SQ4850EY-T1_GE3-DG
SQ4850EY-T1-GE3
SQ4850EY-T1_GE3CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FDS5351
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
30565
DiGi OSA NUMERO
FDS5351-DG
Yksikköhinta
0.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
SQ4850EY-T1_BE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
2497
DiGi OSA NUMERO
SQ4850EY-T1_BE3-DG
Yksikköhinta
0.54
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
DMT6016LSS-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
48345
DiGi OSA NUMERO
DMT6016LSS-13-DG
Yksikköhinta
0.16
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STS7NF60L
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
7200
DiGi OSA NUMERO
STS7NF60L-DG
Yksikköhinta
0.86
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
SQ4850CEY-T1_GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
7515
DiGi OSA NUMERO
SQ4850CEY-T1_GE3-DG
Yksikköhinta
0.35
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SUM50N06-16L-E3
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
SQ2325ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
SIHD5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
SUD50P04-15-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252