Valmistajan tuotenumero:
SQD15N06-42L_T4GE3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SQD15N06-42L_T4GE3-DG
Kuvaus:
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 15A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
7730 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12986884
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SQD15N06-42L_T4GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
15A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
42mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
37W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
742-SQD15N06-42L_T4GE3CT
742-SQD15N06-42L_T4GE3DKR
742-SQD15N06-42L_T4GE3TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
G15N06K
N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
MCAC38N10YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
SI2337DS-T1-BE3
P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
