Valmistajan tuotenumero:
SQD50N04-5M6L_GE3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SQD50N04-5M6L_GE3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
343 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12787257
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SQD50N04-5M6L_GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
TrenchFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
50A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
71W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
SQD50
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
SQD50N04-5M6L_GE3CT
SQD50N04-5M6L_GE3-DG
SQD50N04-5M6L_GE3DKR
SQD50N04-5M6L_GE3TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STD95N4F3
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2540
DiGi OSA NUMERO
STD95N4F3-DG
Yksikköhinta
0.74
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
DMNH4006SK3-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DMNH4006SK3-13-DG
Yksikköhinta
0.69
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SUD50P10-43L-GE3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
SQM50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
SIS892DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
