Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SI7758DP-T1-GE3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SI7758DP-T1-GE3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
13060269
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SI7758DP-T1-GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
-
Sarja
SkyFET®, TrenchFET®
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Osan tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
60A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7150 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Pakkaus / Kotelo
PowerPAK® SO-8
Perustuotenumero
SI7758
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
SI7758DP
Tietokortit
SI7758DP-T1-GE3
HTML-tietolomake
SI7758DP-T1-GE3-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
SI7758DP-T1-GE3DKR
SI7758DP-T1-GE3TR
SI7758DP-T1-GE3CT
SI7758DPT1GE3
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
CSD17501Q5A
VALMISTAJA
Texas Instruments
Saatavilla oleva määrä
6998
DiGi OSA NUMERO
CSD17501Q5A-DG
Yksikköhinta
0.76
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
CSD17306Q5A
VALMISTAJA
Texas Instruments
Saatavilla oleva määrä
5251
DiGi OSA NUMERO
CSD17306Q5A-DG
Yksikköhinta
0.45
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
RS1E240BNTB
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
2500
DiGi OSA NUMERO
RS1E240BNTB-DG
Yksikköhinta
0.22
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
CSD17301Q5A
VALMISTAJA
Texas Instruments
Saatavilla oleva määrä
13376
DiGi OSA NUMERO
CSD17301Q5A-DG
Yksikköhinta
0.62
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
SI7192DP-T1-GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
3000
DiGi OSA NUMERO
SI7192DP-T1-GE3-DG
Yksikköhinta
1.33
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SI1413EDH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
SI7860ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI7190ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
SI3812DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP