DMG3414UQ-7

Valmistajan tuotenumero:

DMG3414UQ-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMG3414UQ-7-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW Surface Mount SOT-23-3

Varasto:

3023 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12884163

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMG3414UQ-7 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

20 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

4.2A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

1.8V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs

25mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

9.6 nC @ 4.5 V

Vgs (enintään)

±8V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

829.9 pF @ 10 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

780mW

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Aste

Automotive

Ehto

AEC-Q101

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

SOT-23-3

Pakkaus / Kotelo

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Perustuotenumero

DMG3414

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

31-DMG3414UQ-7TR

31-DMG3414UQ-7DKR

31-DMG3414UQ-7CT

DMG3414UQ-7-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMP4025LSS-13

MOSFET P-CH 40V 6A 8SO

diodes

DMT6009LCT

MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB

diodes

DMPH6050SFGQ-13

MOSFET P-CH 60V PWRDI3333

diodes

BSS123W-7

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323