Valmistajan tuotenumero:
DMG7430LFGQ-13
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMG7430LFGQ-13-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 10.5A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Varasto:
12883625
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMG7430LFGQ-13 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
26.7 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1281 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
900mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI3333-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
DMG7430
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
DMG7430LFGQ-13DI
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DMG7430LFGQ-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DMG7430LFGQ-7-DG
Yksikköhinta
0.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
DMG7430LFG-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
121618
DiGi OSA NUMERO
DMG7430LFG-7-DG
Yksikköhinta
0.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMP4047LFDE-7
MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
DMP1045U-7
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
DMP2165UW-13
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R
