Valmistajan tuotenumero:
DMN62D0LFB-7B
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMN62D0LFB-7B-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Varasto:
12891749
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMN62D0LFB-7B Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.5V, 4V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
0.45 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
32 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
470mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
X1-DFN1006-3
Pakkaus / Kotelo
3-UFDFN
Perustuotenumero
DMN62
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
10,000
Muut nimet
DMN62D0LFB-7BDITR
31-DMN62D0LFB-7BTR
DMN62D0LFB7B
31-DMN62D0LFB-7BCT
DMN62D0LFB-7BDICT
DMN62D0LFB-7BDIDKR
DMN62D0LFB-7BDIDKR-DG
DMN62D0LFB-7BDICT-DG
31-DMN62D0LFB-7BDKR
DMN62D0LFB-7BDITR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DMN62D0LFB-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
242572
DiGi OSA NUMERO
DMN62D0LFB-7-DG
Yksikköhinta
0.06
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMN1023UCB4-7
MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
DMN2026UVT-7
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
DMN1014UFDF-13
MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN