Valmistajan tuotenumero:
BSC050NE2LSATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSC050NE2LSATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 58A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Varasto:
26172 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12799260
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSC050NE2LSATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
25 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
39A (Ta), 58A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 12 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8-5
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSC050
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSC050NE2LSATMA1CT
BSC050NE2LSDKR
BSC050NE2LSATMA1DKR
BSC050NE2LSCT
BSC050NE2LS-DG
SP000756340
BSC050NE2LS
BSC050NE2LSATMA1TR
BSC050NE2LSCT-DG
BSC050NE2LSDKR-DG
BSC050NE2LSTR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPA65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
BSZ068N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
BSC060N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON