Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPA65R190C6XKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPA65R190C6XKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12799583
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPA65R190C6XKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
34W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3-111
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
IPA65R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
IPA65R190C6XKSA1
HTML-tietolomake
IPA65R190C6XKSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
IPA65R190C6-DG
INFINFIPA65R190C6XKSA1
IPA65R190C6
SP000863892
2156-IPA65R190C6XKSA1-IT
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STF28N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
423
DiGi OSA NUMERO
STF28N60M2-DG
Yksikköhinta
1.44
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STF28N60DM2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
991
DiGi OSA NUMERO
STF28N60DM2-DG
Yksikköhinta
1.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
TK16A60W5,S4VX
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
30
DiGi OSA NUMERO
TK16A60W5,S4VX-DG
Yksikköhinta
1.15
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STF20N65M5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
303
DiGi OSA NUMERO
STF20N65M5-DG
Yksikköhinta
1.35
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
R6020ENX
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
46
DiGi OSA NUMERO
R6020ENX-DG
Yksikköhinta
1.44
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
IPA50R500CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
BSZ036NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
BSC034N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON