Valmistajan tuotenumero:
IPB320P10LMATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB320P10LMATMA1-DG
Kuvaus:
TRENCH >=100V PG-TO263-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 100 V 6.5A (Ta), 63A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Varasto:
810 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12968221
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB320P10LMATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.5A (Ta), 63A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
32mOhm @ 54A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 5.55mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
219 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB320P
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
SP005343863
448-IPB320P10LMATMA1TR
448-IPB320P10LMATMA1DKR
448-IPB320P10LMATMA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
ISP14EP15LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
IST011N06NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
NTH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
