Valmistajan tuotenumero:
IPD70N10S3L12ATMA2
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPD70N10S3L12ATMA2-DG
Kuvaus:
MOSFET_(75V 120V(
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Varasto:
13269027
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPD70N10S3L12ATMA2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
70A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
11.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 83µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5550 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3-11
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
SP005549664
448-IPD70N10S3L12ATMA2TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFP4127PBFAKMA1
TRENCH >=100V
IPB035N12NM6ATMA1
TRENCH >=100V
DMN6041SVT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
