Valmistajan tuotenumero:
IPL65R340CFDAUMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPL65R340CFDAUMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 10.9A (Tc) 104.2W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Varasto:
12803711
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPL65R340CFDAUMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
340mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 400µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
104.2W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-VSON-4
Pakkaus / Kotelo
4-PowerTSFN
Perustuotenumero
IPL65R340
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
2156-IPL65R340CFDAUMA1
SP000949258
ROCINFIPL65R340CFDAUMA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFS3306TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRFP150N
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IRFL4105
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
