Valmistajan tuotenumero:
IPU80R2K8CEBKMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPU80R2K8CEBKMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Varasto:
13064100
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPU80R2K8CEBKMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Pakkaaminen
Tube
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
42W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO251-3
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
IPU80R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,500
Muut nimet
SP001100622
IFEINFIPU80R2K8CEBKMA1
2156-IPU80R2K8CEBKMA1-IT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FCU3400N80Z
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1691
DiGi OSA NUMERO
FCU3400N80Z-DG
Yksikköhinta
0.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF3709S
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
IRFP150NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223