Valmistajan tuotenumero:
IPW60R190P6FKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPW60R190P6FKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Varasto:
164 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12807492
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPW60R190P6FKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™ P6
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 630µ
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1750 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
151W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IPW60R190
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
IPW60R190P6
INFINFIPW60R190P6FKSA1
IPW60R190P6-DG
SP001017090
2156-IPW60R190P6FKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SPP12N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3
TN5325N3-G
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
SIPC46N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
