Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IRF8113GTRPBF
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRF8113GTRPBF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12808446
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF8113GTRPBF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
HEXFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2910 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SO
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
IRF8113GTRPBF
HTML-tietolomake
IRF8113GTRPBF-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,000
Muut nimet
IRF8113GTRPBFTR
SP001575462
IRF8113GTRPBFCT
IRF8113GTRPBFDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
SI4634DY-T1-E3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
4811
DiGi OSA NUMERO
SI4634DY-T1-E3-DG
Yksikköhinta
0.65
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
FDS8870
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
2621
DiGi OSA NUMERO
FDS8870-DG
Yksikköhinta
0.66
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IRF8113TRPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
1665
DiGi OSA NUMERO
IRF8113TRPBF-DG
Yksikköhinta
0.27
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
SI4634DY-T1-GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
SI4634DY-T1-GE3-DG
Yksikköhinta
0.67
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPP180N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
SPB21N10 G
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
CPC3730C
MOSFET N-CH 350V SOT89
CPC3701CTR
MOSFET N-CH 60V SOT89