Valmistajan tuotenumero:
SPW20N60C3FKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
SPW20N60C3FKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Varasto:
2123 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12807451
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SPW20N60C3FKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
208W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3-1
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
SPW20N60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
2156-SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN-NDR
SPW20N60C3XK
SPW20N60C3IN-DG
SP000013729
SPW20N60C3
SPW20N60C3FKSA1-DG
SPW20N60C3IN
448-SPW20N60C3FKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SPU04N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251-3
SPD04N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
SPU02N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
