Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXFN60N60
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFN60N60-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12820858
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFN60N60 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
HiPerFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
60A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
75mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
700W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-227B
Pakkaus / Kotelo
SOT-227-4, miniBLOC
Perustuotenumero
IXFN60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IXFN60N60
Tietokortit
IXFN60N60
HTML-tietolomake
IXFN60N60-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
10
Muut nimet
IXFN60N60-NDR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
APT47F60J
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
APT47F60J-DG
Yksikköhinta
32.34
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
APT60M75JLL
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
APT60M75JLL-DG
Yksikköhinta
65.66
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
APT60M75JFLL
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
APT60M75JFLL-DG
Yksikköhinta
60.60
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STE40NC60
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STE40NC60-DG
Yksikköhinta
29.24
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
APT60M75JVR
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
APT60M75JVR-DG
Yksikköhinta
75.76
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFH26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
IXTH6N120
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
IXTH200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
IXFB62N80Q3
MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264