Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXFX14N100
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFX14N100-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 14A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12819863
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFX14N100 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
HiPerFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
14A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
360W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PLUS247™-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3 Variant
Perustuotenumero
IXFX14
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IXF(H,T,X)1(4,5)N100
Tietokortit
IXFX14N100
HTML-tietolomake
IXFX14N100-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STW13NK100Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STW13NK100Z-DG
Yksikköhinta
6.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STWA12N120K5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
6
DiGi OSA NUMERO
STWA12N120K5-DG
Yksikköhinta
7.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFH15N100Q3
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFH15N100Q3-DG
Yksikköhinta
10.99
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTA120N04T2
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
IXTV230N085T
MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220
IXFH67N10Q
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
IXFB210N20P
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264