Valmistajan tuotenumero:
IXTJ6N150
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTJ6N150-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1500V 3A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1500 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole ISO247
Varasto:
12820651
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTJ6N150 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.85Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2230 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
ISO247
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IXTJ6
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFR24N100
MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
IXFN21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
IXTA48N20T
MOSFET N-CH 200V 48A TO263
