Valmistajan tuotenumero:
IXTP1N100
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTP1N100-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12822240
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTP1N100 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
54W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IXTP1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFP4N100P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFP4N100P-DG
Yksikköhinta
2.40
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFK32N100P
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
IXTA1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
IXFK90N20Q
MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
