Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXTQ280N055T
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTQ280N055T-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 280A TO3P
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 55 V 280A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12821239
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTQ280N055T Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
TrenchMV™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
55 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
280A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
9700 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
550W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Perustuotenumero
IXTQ280
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IXT(H,Q)280N055T
Tietokortit
IXTQ280N055T
HTML-tietolomake
IXTQ280N055T-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FDA032N08
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
298
DiGi OSA NUMERO
FDA032N08-DG
Yksikköhinta
2.05
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXTH260N055T2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
3
DiGi OSA NUMERO
IXTH260N055T2-DG
Yksikköhinta
3.89
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTP2N60P
MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB
IXTK33N50
MOSFET N-CH 500V 33A TO264
IXFA3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXFB300N10P
MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264