IXTX110N20L2
Valmistajan tuotenumero:

IXTX110N20L2

Product Overview

Valmistaja:

IXYS

Osan numero:

IXTX110N20L2-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 110A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Varasto:

700 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12820709
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IXTX110N20L2 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Linear L2™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
110A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
24mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
500 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
23000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
960W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PLUS247™-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3 Variant
Perustuotenumero
IXTX110

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
IXT(K,X)110N20L2
Tietokortit
IXTX110N20L2
HTML-tietolomake
IXTX110N20L2-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti
30

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
littelfuse

IXFH15N80

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD

littelfuse

IXFH14N85X

MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3

littelfuse

IXTQ110N10P

MOSFET N-CH 100V 110A TO3P

littelfuse

IXTP3N110

MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB