Valmistajan tuotenumero:
IXTY1N80P
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTY1N80P-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
12819623
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTY1N80P Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Polar
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
14Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
42W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IXTY1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
70
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STD1NK80ZT4
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
232
DiGi OSA NUMERO
STD1NK80ZT4-DG
Yksikköhinta
0.39
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFR80N10Q
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
IXFB38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
IXTP08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB