Valmistajan tuotenumero:
APT7M120S
Product Overview
Valmistaja:
Microchip Technology
Osan numero:
APT7M120S-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3Pak
Varasto:
13248125
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
APT7M120S Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Microchip Technology
Paketti
Bulk
Sarja
POWER MOS 8™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2565 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
335W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D3Pak
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
APT7M120
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXTT6N120
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
267
DiGi OSA NUMERO
IXTT6N120-DG
Yksikköhinta
7.33
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
APT5010JVRU3
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
APT58M80J
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
APT50M65B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
