Valmistajan tuotenumero:
EMG2DXV5T1
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
EMG2DXV5T1-DG
Kuvaus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553
Varasto:
12840016
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
EMG2DXV5T1 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
47kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
-
Teho - Max
230mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-553
Toimittajan laitepaketti
SOT-553
Perustuotenumero
EMG2DX
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,000
Muut nimet
2156-EMG2DXV5T1
ONSONSEMG2DXV5T1
2156-EMG2DXV5T1-ONTR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NSVBC114YDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSVBA114EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
MUN5216DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
