Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FCP25N60N
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FCP25N60N-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12848862
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FCP25N60N Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
SupreMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
25A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
216W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FCP25
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FCP25N60N_F102
Tietokortit
FCP25N60N
HTML-tietolomake
FCP25N60N-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP34NM60N
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
458
DiGi OSA NUMERO
STP34NM60N-DG
Yksikköhinta
5.09
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP28NM60ND
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
133
DiGi OSA NUMERO
STP28NM60ND-DG
Yksikköhinta
3.12
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
SIHP28N65E-GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
SIHP28N65E-GE3-DG
Yksikköhinta
2.49
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
AOT42S60L
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
16990
DiGi OSA NUMERO
AOT42S60L-DG
Yksikköhinta
2.63
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPP60R099CPXKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
1235
DiGi OSA NUMERO
IPP60R099CPXKSA1-DG
Yksikköhinta
4.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AON6405
MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
FQP2N40-F080
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
FDS8874
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
FCH47N60N
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3