Valmistajan tuotenumero:
FDB86366-F085
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDB86366-F085-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
782 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12849520
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDB86366-F085 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
110A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6280 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
176W (Tj)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
FDB86366
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Muut nimet
FDB86366-F085CT
FDB86366-F085DKR
FDB86366_F085
2156-FDB86366-F085-OS
ONSONSFDB86366-F085
FDB86366-F085TR
FDB86366_F085CT-DG
FDB86366_F085TR-DG
FDB86366_F085-DG
FDB86366_F085TR
FDB86366_F085DKR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
NVMFS6H801NLT1G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
NVMFS6H801NLT1G-DG
Yksikköhinta
1.01
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDD8876
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
AOT12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220