FDC602P
Valmistajan tuotenumero:

FDC602P

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDC602P-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Varasto:

11530 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12837349
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDC602P Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
2.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1456 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.6W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SuperSOT™-6
Pakkaus / Kotelo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Perustuotenumero
FDC602

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
FDC602PTR
FDC602PCT
FDC602P-DG
FDC602PDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
onsemi

FDD050N03B

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

onsemi

FDS6679

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

onsemi

FQP4N90

MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3

onsemi

FQI6N60CTU

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK