Valmistajan tuotenumero:

FDC602P

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDC602P-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Varasto:

11530 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12837349

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDC602P Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

20 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

2.5V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs

35mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 4.5 V

Vgs (enintään)

±12V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1456 pF @ 10 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

1.6W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

SuperSOT™-6

Pakkaus / Kotelo

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Perustuotenumero

FDC602

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

FDC602PTR

FDC602PCT

FDC602P-DG

FDC602PDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FDD050N03B

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

onsemi

FDS6679

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

onsemi

FQP4N90

MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3

onsemi

FQI6N60CTU

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK