FDFS6N303
Valmistajan tuotenumero:

FDFS6N303

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDFS6N303-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Varasto:

12848074
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDFS6N303 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
35mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
Schottky Diode (Isolated)
Tehohäviö (enintään)
900mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
FDFS6

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDFS6N303TR
FDFS6N303_NLTR-DG
FDFS6N303CT
FDFS6N303CT-NDR
FDFS6N303_NLCT-DG
FDFS6N303DKR
FDFS6N303_NLTR
FDFS6N303_NLCT
FDFS6N303TR-NDR
FDFS6N303_NL

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
onsemi

FQB5N50CTM

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

onsemi

FDS8870

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

onsemi

FQP11N50CF

MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3

infineon-technologies

BSO080P03SNTMA1

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO