Valmistajan tuotenumero:
FDR844P
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDR844P-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Varasto:
12847139
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDR844P Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
10A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4951 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.8W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SuperSOT™-8
Pakkaus / Kotelo
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Perustuotenumero
FDR84
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NTJS3151PT2G
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
AO4405L
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
FDR858P
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
