Valmistajan tuotenumero:
FQB6N60TM
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQB6N60TM-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
12839168
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
DSSD
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQB6N60TM Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
FQB6
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STB8NM60D
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2874
DiGi OSA NUMERO
STB8NM60D-DG
Yksikköhinta
0.83
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRFBC30ASTRLPBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
579
DiGi OSA NUMERO
IRFBC30ASTRLPBF-DG
Yksikköhinta
1.26
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STB4NK60ZT4
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
4369
DiGi OSA NUMERO
STB4NK60ZT4-DG
Yksikköhinta
0.77
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDD6778A
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
FQD5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
