Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FQB8N60CTM-WS
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQB8N60CTM-WS-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12838618
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQB8N60CTM-WS Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1255 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
FQB8
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FQB8N60C, FQI8N60C
Tietokortit
FQB8N60CTM-WS
HTML-tietolomake
FQB8N60CTM-WS-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Muut nimet
FQB8N60CTM-WSTR
FQB8N60CTM_WSCT
FQB8N60CTM-WSCT
FQB8N60CTM_WSDKR-DG
FQB8N60CTM_WSTR
FQB8N60CTM-WSDKR
FQB8N60CTM_WSDKR
FQB8N60CTM_WS
FQB8N60CTM_WSTR-DG
FQB8N60CTM_WSCT-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STB6NK60ZT4
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
33
DiGi OSA NUMERO
STB6NK60ZT4-DG
Yksikköhinta
1.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRFBC40SPBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRFBC40SPBF-DG
Yksikköhinta
1.90
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STB8NM60T4
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STB8NM60T4-DG
Yksikköhinta
1.39
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFA10N80P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFA10N80P-DG
Yksikköhinta
2.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDPF18N50
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
FDMS86520
MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
FDN8601
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
FQU1N60TU
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK