MUN5112DW1T1G
Valmistajan tuotenumero:

MUN5112DW1T1G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

MUN5112DW1T1G-DG

Kuvaus:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Varasto:

5576 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12853498
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

MUN5112DW1T1G Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
22kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
22kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
-
Teho - Max
250mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
SC-88/SC70-6/SOT-363
Perustuotenumero
MUN5112

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
MUN5112DW1, NSBA124EDxx
Tietokortit
MUN5112DW1T1G
HTML-tietolomake
MUN5112DW1T1G-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
2156-MUN5112DW1T1G-OS
ONSONSMUN5112DW1T1G
488-MUN5112DW1T1GDKR
MUN5112DW1T1G-DG
488-MUN5112DW1T1GTR
488-MUN5112DW1T1GCT

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
onsemi

MUN5211DW1T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

onsemi

MUN5111DW1T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

onsemi

MUN5237DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

onsemi

MUN5211DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363