Valmistajan tuotenumero:
RFD16N05
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
RFD16N05-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 50 V 16A (Tc) 72W (Tc) Through Hole I-PAK
Varasto:
12840400
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RFD16N05 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
50 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
16A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
47mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 20 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
72W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I-PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
RFD16
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
RFD16N05-NDR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NTTFS5C453NLTAG
MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
