Valmistajan tuotenumero:
QS8M31TR
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
QS8M31TR-DG
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Yksityiskohtainen kuvaus:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Varasto:
3630 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13526109
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
H5Ml
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
QS8M31TR Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
N and P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
Rds päällä (max) @ id, vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Teho - Max
1.1W (Ta)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
8-SMD, Flat Lead
Toimittajan laitepaketti
TSMT8
Perustuotenumero
QS8M31
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
QS8M31DKR
QS8M31CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
