Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Kongon demokraattinen tasavalta
Argentiina
Turkki
Romania
Liettua
Norja
Itävalta
Angola
Slovakia
Ltaly
Suomi
Valko-Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Montenegro
Venäjä
Belgia
Ruotsi
Serbia
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Moldova
Saksa
Alankomaat
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Ranska
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Portugali
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanja
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
R6020ENZ1C9
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
R6020ENZ1C9-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
13527199
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
R6020ENZ1C9 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
120W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
R6020ENZ1C9
Lisätietoja
Vakio-paketti
450
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFH42N60P3
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFH42N60P3-DG
Yksikköhinta
4.39
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
APT34M60B
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
APT34M60B-DG
Yksikköhinta
11.84
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPW65R190C7XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
220
DiGi OSA NUMERO
IPW65R190C7XKSA1-DG
Yksikköhinta
1.69
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
TK20N60W,S1VF
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
15
DiGi OSA NUMERO
TK20N60W,S1VF-DG
Yksikköhinta
2.83
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STW28N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
96
DiGi OSA NUMERO
STW28N60M2-DG
Yksikköhinta
1.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RD3L150SNTL1
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
RQ3E080BNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
RSS075P03FU6TB
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
RSS120N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP