Valmistajan tuotenumero:
SCT3105KLGC11
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
SCT3105KLGC11-DG
Kuvaus:
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 24A (Tc) 134W Through Hole TO-247N
Varasto:
151 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13527503
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SCT3105KLGC11 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
24A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
18V
Rds päällä (max) @ id, vgs
137mOhm @ 7.6A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 3.81mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 18 V
Vgs (enintään)
+22V, -4V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
574 pF @ 800 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
134W
Käyttölämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247N
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
SCT3105
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
QS6U24TR
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
R6012ANX
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
SCT2450KEC
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
