Valmistajan tuotenumero:
2SC2812-6-TB-E
Product Overview
Valmistaja:
Sanyo
Osan numero:
2SC2812-6-TB-E-DG
Kuvaus:
NPN SILICON TRANSISTOR
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 200 mW Surface Mount 3-CP
Varasto:
291000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12930778
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SC2812-6-TB-E Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
150 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
500mV @ 5mA, 50mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 6V
Teho - Max
200 mW
Taajuus - siirtyminen
100MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
3-CP
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
11,539
Muut nimet
2156-2SC2812-6-TB-E
ONSONS2SC2812-6-TB-E
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SC3117S
TRANSISTOR
MBT2222ADW1T
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2N1893
TRANS NPN 80V 0.5A TO5
