Valmistajan tuotenumero:
STB18N60M6
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STB18N60M6-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
12872381
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STB18N60M6 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
MDmesh™ M6
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
110W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
STB18
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
497-19056-1
497-19056-2
497-19056-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
R6015ENJTL
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
4
DiGi OSA NUMERO
R6015ENJTL-DG
Yksikköhinta
1.65
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
R6015KNJTL
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
2982
DiGi OSA NUMERO
R6015KNJTL-DG
Yksikköhinta
1.13
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STN1N20
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
STW33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO247
STP80NF55
MOSFET N-CH 55V 80A TO220
