Valmistajan tuotenumero:
STB6NK90ZT4
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STB6NK90ZT4-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 900 V 5.8A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Varasto:
12874393
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STB6NK90ZT4 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
SuperMESH™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
900 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
60.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
140W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
STB6
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
497-6555-1
497-6555-2
497-6555-6
STB6NK90ZT4-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFA7N100P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
264
DiGi OSA NUMERO
IXFA7N100P-DG
Yksikköhinta
2.99
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFA6N120P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
3725
DiGi OSA NUMERO
IXFA6N120P-DG
Yksikköhinta
5.46
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STD11N65M2
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
STD13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STE145N65M5
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
