Valmistajan tuotenumero:
STI33N65M2
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STI33N65M2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
Varasto:
9000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12879664
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STI33N65M2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
MDmesh™ M2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
24A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
140mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
41.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1790 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
190W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
STI33
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
497-15551-5-DG
497-15551-5
-497-15551-5
497-STI33N65M2
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STF8NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
STB21N90K5
MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
STI90N4F3
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
