Valmistajan tuotenumero:
STP180N4F6
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STP180N4F6-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Varasto:
938 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12879906
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STP180N4F6 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
STripFET™ F6
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
120A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (enintään)
±20V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
190W (Tc)
Käyttölämpötila
-
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
STP180
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STB13NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
STP80NE06-10
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
STD110NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
