Valmistajan tuotenumero:
STS20N3LLH6
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STS20N3LLH6-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Varasto:
12878835
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STS20N3LLH6 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
DeepGATE™, STripFET™ VI
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1690 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.7W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
STS20
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
497-10580-1
-497-10580-1
497-10580-6
-497-10580-2
497-10580-2
-497-10580-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRF7832TRPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
13071
DiGi OSA NUMERO
IRF7832TRPBF-DG
Yksikköhinta
0.57
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FDS8870
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
2621
DiGi OSA NUMERO
FDS8870-DG
Yksikköhinta
0.66
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STP7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
STB22N60DM6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
