Valmistajan tuotenumero:
RN1611(TE85L,F)
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN1611(TE85L,F)-DG
Kuvaus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Varasto:
325 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12889094
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
LM9I
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN1611(TE85L,F) Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
10kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
Taajuus - siirtyminen
250MHz
Teho - Max
300mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-74, SOT-457
Toimittajan laitepaketti
SM6
Perustuotenumero
RN1611
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
RN1611(TE85LF)TR
RN1611(TE85LF)CT
RN1611(TE85LF)DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
QSH29TR
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
3000
DiGi OSA NUMERO
QSH29TR-DG
Yksikköhinta
0.26
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN4985FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4906FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6