Valmistajan tuotenumero:
RN1909,LXHF(CT
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN1909,LXHF(CT-DG
Kuvaus:
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=4
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Varasto:
6000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12968487
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN1909,LXHF(CT Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
47kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
22kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250MHz
Teho - Max
200mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
US6
Perustuotenumero
RN1909
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
264-RN1909,LXHF(CT-DG
264-RN1909,LXHF(CT
264-RN1909,LXHF(CTTR-DG
264-RN1909,LXHF(CTDKR-DG
264-RN1909LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NSBC143TPDXV6T5
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MUN5338DW1T3G
SS SC88 DUAL BRT TRPDBN
NSVBC123JDXV6T5G
SS SOT563 SRF MT RST XSTR