Valmistajan tuotenumero:
TP65H035WSQA
Product Overview
Valmistaja:
Transphorm
Osan numero:
TP65H035WSQA-DG
Kuvaus:
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Varasto:
202 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13446162
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TP65H035WSQA Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Transphorm
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
41mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Tehohäviö (enintään)
187W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
TP65H035
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
60
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TPH3208LDG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3208LS
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3205WSBQA
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
