SIHG25N40D-GE3
Valmistajan tuotenumero:

SIHG25N40D-GE3

Product Overview

Valmistaja:

Vishay Siliconix

Osan numero:

SIHG25N40D-GE3-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 400 V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC

Varasto:

87 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12919899
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

SIHG25N40D-GE3 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
400 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
25A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
170mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1707 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
278W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247AC
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
SIHG25

Tietolehtinen ja asiakirjat

Lisätietoja

Vakio-paketti
500

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Vaihtoehtoiset mallit

Osanumero
IXFH36N50P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
126
DiGi OSA NUMERO
IXFH36N50P-DG
Yksikköhinta
5.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
APT30F50B
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
86
DiGi OSA NUMERO
APT30F50B-DG
Yksikköhinta
4.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
vishay-siliconix

SIHH14N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SI7810DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI5499DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET

vishay-siliconix

SI8472DB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT