Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
DMG9N65CT
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMG9N65CT-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12888744
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMG9N65CT Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2310 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
165W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
DMG9
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
DMG9N65CTDI
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP5NK60Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
1103
DiGi OSA NUMERO
STP5NK60Z-DG
Yksikköhinta
0.80
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STP9NK65Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STP9NK65Z-DG
Yksikköhinta
1.54
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IXFP7N80PM
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFP7N80PM-DG
Yksikköhinta
4.60
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IRF830PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
9086
DiGi OSA NUMERO
IRF830PBF-DG
Yksikköhinta
0.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STP7NK80Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
995
DiGi OSA NUMERO
STP7NK80Z-DG
Yksikköhinta
1.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMG3402LQ-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
DMP32D4SW-7
MOSFET P-CH 30V 250MA SOT323
DMN65D8LQ-13
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
DMP1055USW-7
MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363