Valmistajan tuotenumero:
IPP030N10N5AKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPP030N10N5AKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Varasto:
12801612
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPP030N10N5AKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
120A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 184µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
250W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IPP030
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
INFINFIPP030N10N5AKSA1
2156-IPP030N10N5AKSA1
SP001227032
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
TK100E10N1,S1X
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
4370
DiGi OSA NUMERO
TK100E10N1,S1X-DG
Yksikköhinta
1.66
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
FDP86363-F085
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
176
DiGi OSA NUMERO
FDP86363-F085-DG
Yksikköhinta
2.14
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
64-2096PBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
IPB12CN10NGATMA2
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
