Valmistajan tuotenumero:
RN2907(T5L,F,T)
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN2907(T5L,F,T)-DG
Kuvaus:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Varasto:
12889091
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
uSvu
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN2907(T5L,F,T) Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
10kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
Taajuus - siirtyminen
200MHz
Teho - Max
200mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
US6
Perustuotenumero
RN2907
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
RN2907(T5LFT)DKR
RN2907(T5LFT)TR
RN2907(T5LFT)CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PUMB9,125
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
10
DiGi OSA NUMERO
PUMB9,125-DG
Yksikköhinta
0.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
MUN5114DW1T1G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
13071
DiGi OSA NUMERO
MUN5114DW1T1G-DG
Yksikköhinta
0.03
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN1611(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN4985FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6